Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/8878
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПисьменская, А. С.ru
dc.contributor.authorЧерник, А. А.ru
dc.contributor.authorЖилинский, В. В.ru
dc.contributor.authorБогомазова, Н. В.ru
dc.date.accessioned2018-02-13T13:33:58Z-
dc.date.available2018-02-13T13:33:58Z-
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationЭлектрохимическое формирование наноструктурированного алюминиевого покрытия [Текст] / А. С. Письменская, А. А. Черник, В. В. Жилинский, Н. В. Богомазова // Promising materials and processes in technical electrochemistry : monograph / ed.: V. Z. Barsukov, Yu. V. Borysenko, O. I. Buket, V. G. Khomenko. - Kyiv : KNUTD, 2016. - C. 189-192.uk
dc.identifier.urihttps://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/8878-
dc.description.abstractПромышленное производство всех типов дисплейных устройств с ежегодным объемом выпуска в сотни миллионов штук (активно-матричные жидкокристаллические дисплеи для телевизионной и компьютерной техники, мобильные телефоны и др.) основано на использовании прозрачного проводящего оксида In2O3, легированного оловом или цинком, с оптическим пропусканием на уровне 80 – 85% и поверхностным сопротивлением менее 50 Ом/□ [1, 2]. Разведанные мировые запасы исходных материалов, прежде всего Индия, весьма ограничены и в ближайшие несколько лет промышленность может столкнуться с их существенным дефицитом.ru
dc.description.abstractThe article presents the results of electrochemical investigations of the oxidation process of aluminum. It has been established that for the formation of a transparent nanostructured layer of aluminum with fine porosity and good dielectric properties of the film, oxalic electrolyte (0,3 M), high voltage (50 - 80 V) and low temperature (4 - 20°С) should be used. To create an orderly structure and increase the dielectric properties of the nanostructured aluminum film layers were etched in a solution containing in g / l: CrO3 - 18; H3PO4 - 60 (ρ = 1,69 g / cm3) at 80°C.en
dc.languageru
dc.titleЭлектрохимическое формирование наноструктурированного алюминиевого покрытияru
dc.typeArticle
local.contributor.altauthorPismenskaya, A. S.en
local.contributor.altauthorChernik, A. A.en
local.contributor.altauthorZhylinski, V. V.en
local.contributor.altauthorBogomazova, N. V.en
local.sourcePromising materials and processes in technical electrochemistryuk
local.subject.method0
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації (статті)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Promising2016_P189-192.pdf383,22 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.