Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/8878
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Письменская, А. С. | ru |
dc.contributor.author | Черник, А. А. | ru |
dc.contributor.author | Жилинский, В. В. | ru |
dc.contributor.author | Богомазова, Н. В. | ru |
dc.date.accessioned | 2018-02-13T13:33:58Z | - |
dc.date.available | 2018-02-13T13:33:58Z | - |
dc.date.issued | 2016 | |
dc.identifier.citation | Электрохимическое формирование наноструктурированного алюминиевого покрытия [Текст] / А. С. Письменская, А. А. Черник, В. В. Жилинский, Н. В. Богомазова // Promising materials and processes in technical electrochemistry : monograph / ed.: V. Z. Barsukov, Yu. V. Borysenko, O. I. Buket, V. G. Khomenko. - Kyiv : KNUTD, 2016. - C. 189-192. | uk |
dc.identifier.uri | https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/8878 | - |
dc.description.abstract | Промышленное производство всех типов дисплейных устройств с ежегодным объемом выпуска в сотни миллионов штук (активно-матричные жидкокристаллические дисплеи для телевизионной и компьютерной техники, мобильные телефоны и др.) основано на использовании прозрачного проводящего оксида In2O3, легированного оловом или цинком, с оптическим пропусканием на уровне 80 – 85% и поверхностным сопротивлением менее 50 Ом/□ [1, 2]. Разведанные мировые запасы исходных материалов, прежде всего Индия, весьма ограничены и в ближайшие несколько лет промышленность может столкнуться с их существенным дефицитом. | ru |
dc.description.abstract | The article presents the results of electrochemical investigations of the oxidation process of aluminum. It has been established that for the formation of a transparent nanostructured layer of aluminum with fine porosity and good dielectric properties of the film, oxalic electrolyte (0,3 M), high voltage (50 - 80 V) and low temperature (4 - 20°С) should be used. To create an orderly structure and increase the dielectric properties of the nanostructured aluminum film layers were etched in a solution containing in g / l: CrO3 - 18; H3PO4 - 60 (ρ = 1,69 g / cm3) at 80°C. | en |
dc.language | ru | |
dc.title | Электрохимическое формирование наноструктурированного алюминиевого покрытия | ru |
dc.type | Article | |
local.contributor.altauthor | Pismenskaya, A. S. | en |
local.contributor.altauthor | Chernik, A. A. | en |
local.contributor.altauthor | Zhylinski, V. V. | en |
local.contributor.altauthor | Bogomazova, N. V. | en |
local.source | Promising materials and processes in technical electrochemistry | uk |
local.subject.method | 0 | |
Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації (статті) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Promising2016_P189-192.pdf | 383,22 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.