Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/19534
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Острожинський, Валентин Євгенович | - |
dc.contributor.author | Горбачук, Микола Тихонович | - |
dc.date.accessioned | 2022-02-21T14:11:58Z | - |
dc.date.available | 2022-02-21T14:11:58Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Острожинський В. Є. Аналіз і порівняння електрофізичних властивостей і характеристик деяких електротехнічних напівпровідникових матеріалів з метою їх застосування для створення датчиків Холла / В. Є. Острожинський, М. Т. Горбачук // Інноватика в освіті, науці та бізнесі: виклики та можливості : матеріали II Всеукраїнської конференції здобувачів вищої освіти і молодих учених, м. Київ, 18 листопада 2021 року. – Т. 1. – Київ : КНУТД, 2021. – С. 297-301. | uk |
dc.identifier.uri | https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/19534 | - |
dc.description.abstract | Проведено аналіз електрофізичних властивостей відомих напівпровідникових електротехнічних матеріалів, таких як арсенід галію GaAs, германій Ge, антимонід індію InSb, кремній Si з метою виявлення переваг для створення датчиків магнітного поля – датчиків Холла. Проведено аналіз на основі фізики ефекту Холла і математичного аналізу, що визначає величину ефекту Холла в тому чи іншому матеріалі. Наведено характеристики датчиків Холла на основі різних матеріалів, зроблено висновки про переваги того чи іншого матеріалу в певних умовах і перспективності розглянутих матеріалів. | uk |
dc.description.abstract | The electrophysical properties of well – known semiconductor electrical materials, such as gallium arsenide GaAs, germanium Ge, indium antimonide InSb, Silicon Si, were analyzed in order to identify advantages for creating magnetic field sensors-Hall sensors. The analysis is based on the physics of the Hall effect and mathematical analysis that determines the magnitude of the Hall effect in a particular material. The characteristics of Hall sensors based on various materials are presented, conclusions are drawn about the advantages of a particular material in certain conditions and the prospects of the materials under consideration. | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Київський національний університет технологій та дизайну | uk |
dc.subject | напівпровідники | uk |
dc.subject | магнітні поля | uk |
dc.subject | датчики Холла | uk |
dc.subject | semiconductors | uk |
dc.subject | magnetic fields | uk |
dc.subject | Hall sensors | uk |
dc.title | Аналіз і порівняння електрофізичних властивостей і характеристик деяких електротехнічних напівпровідникових матеріалів з метою їх застосування для створення датчиків Холла | uk |
dc.title.alternative | Analysis and comparison of electrophysical properties and characteristics of some electrotechnical semiconductor materials for their application to create Hall sensors | uk |
dc.type | Article | uk |
local.contributor.altauthor | Ostrozhinsky, V. | - |
local.contributor.altauthor | Gorbachuk, N. | - |
local.conference.location | Київ | uk |
local.conference.date | 2021-11-18 | - |
local.conference.name | Інноватика в освіті, науці та бізнесі: виклики та можливості | uk |
local.subject.method | 0 | uk |
local.conference.section | Інноватика в науці | uk |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної фізики та вищої математики (ПФВМ) Інноватика в освіті, науці та бізнесі: виклики та можливості |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Innovatyka2021_V1_P297-301.pdf | 252,36 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.