Аналіз і порівняння електрофізичних властивостей і характеристик деяких електротехнічних напівпровідникових матеріалів з метою їх застосування для створення датчиків Холла

Abstract

Проведено аналіз електрофізичних властивостей відомих напівпровідникових електротехнічних матеріалів, таких як арсенід галію GaAs, германій Ge, антимонід індію InSb, кремній Si з метою виявлення переваг для створення датчиків магнітного поля – датчиків Холла. Проведено аналіз на основі фізики ефекту Холла і математичного аналізу, що визначає величину ефекту Холла в тому чи іншому матеріалі. Наведено характеристики датчиків Холла на основі різних матеріалів, зроблено висновки про переваги того чи іншого матеріалу в певних умовах і перспективності розглянутих матеріалів.

The electrophysical properties of well – known semiconductor electrical materials, such as gallium arsenide GaAs, germanium Ge, indium antimonide InSb, Silicon Si, were analyzed in order to identify advantages for creating magnetic field sensors-Hall sensors. The analysis is based on the physics of the Hall effect and mathematical analysis that determines the magnitude of the Hall effect in a particular material. The characteristics of Hall sensors based on various materials are presented, conclusions are drawn about the advantages of a particular material in certain conditions and the prospects of the materials under consideration.