Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/8877
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПянко, А. В.ru
dc.contributor.authorЖилинский, В. В.ru
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.ru
dc.date.accessioned2018-02-13T13:33:58Z-
dc.date.available2018-02-13T13:33:58Z-
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationПянко А. В. Химический синтез наноструктурированных систем с хемочувствительными свойствами [Текст] / А. В. Пянко, В. В. Жилинский, Г. Г. Горох // Promising materials and processes in technical electrochemistry : monograph / ed.: V. Z. Barsukov, Yu. V. Borysenko, O. I. Buket, V. G. Khomenko. - Kyiv : KNUTD, 2016. - C. 185-188.uk
dc.identifier.urihttps://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/8877-
dc.description.abstractВ настоящей работе исследованы процессы электрохимического и химического наполнения анодно-оксидного алюминия широкозонными металлооксидными полупроводниками SnO2, ZnO для использования в газовой сенсорике. Разработана методика двустадийного анодирования алюминия на кремниевой подложке. Выполнен анализ газового сенсора с помощью тестовой структуры.ru
dc.description.abstractThis paper deals with the processes of electrochemical and chemical filling of anodic aluminum oxide with wide-zone metal oxide semiconductors (SnO2, ZnO) in terms of their use in gas sensors. The method of two-step anodization of aluminum on a silicon substrate was designed. Analysis of the gas sensor was carried out using a test structure.en
dc.languageru
dc.titleХимический синтез наноструктурированных систем с хемочувствительными свойствамиru
dc.typeArticle
local.contributor.altauthorPyanko, A. V.en
local.contributor.altauthorZhylinski, V. V.en
local.contributor.altauthorGoroh, G. G.en
local.sourcePromising materials and processes in technical electrochemistryuk
local.subject.method0
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації (статті)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Promising2016_P185-188.pdf356,65 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.