Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/2854
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Комарницький, А. В. | uk |
dc.date.accessioned | 2016-11-04T13:00:37Z | - |
dc.date.available | 2016-11-04T13:00:37Z | - |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.identifier.citation | Комарницький А. В. Особливості вбудованого самотестування і самовідновлення мікросхем пам'яті [Текст] / А. В. Комарницький // Технології та дизайн. - 2012. - № 2 (3). | uk |
dc.identifier.uri | https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/2854 | - |
dc.description.abstract | Стаття присвячена питанням підвищення коефіцієнта технічної готовності мікросхем пам'яті. запропоновано архітектура вбудованих засобів само тестування та відновлення, що дозволяє виконати заміну розряду даних основного масиву запам'ятовуючих осередків, в якому стався відмову, на дані, що надходять з виходів запасного масиву запам'ятовуючих осередків. Запропоновані апаратні засоби забезпечують автоматичну реконфігурацію даних мікросхеми при виявленні відмови. | uk |
dc.description.abstract | Статья посвящена вопросам повышения коэффициента технической готовности микросхем памяти. предложено архитектура встроенных средств само тестирование и восстановление, что позволяет выполнить замену разряда данных основного массива запоминающих ячеек, в котором произошел отказ, на данные, поступающие с выходов запасного массива запоминающих ячеек. Предлагаемые аппаратные средства обеспечивают автоматическую реконфигурацию данных микросхемы при обнаружении отказа. | ru |
dc.description.abstract | Article is devoted to increasing the coefficient of technical readiness of memory chips. Рroposed architecture built-in self test and recovery, allowing for replacement of the discharge data of the main array storage cells in which there was a failure, the data coming from the outputs of the spare array storage cells. The proposed hardware provides automatic reconfiguration of data circuits in the detection of rejection. | en |
dc.language | uk | |
dc.subject | built-in self testing | en |
dc.subject | decoder lines | en |
dc.subject | analysis of redundancy memory cell | en |
dc.subject | the final machine | en |
dc.subject | встроенное самотестирование | ru |
dc.subject | дешифратор строк | ru |
dc.subject | анализ избыточности | ru |
dc.subject | ячейки памяти | ru |
dc.subject | конечный автомат | ru |
dc.subject | вбудоване самотестування | uk |
dc.subject | дешифратор рядків | uk |
dc.subject | аналіз надмірності | uk |
dc.subject | комірки пам'яті | uk |
dc.subject | кінцевий автомат | uk |
dc.title | Особливості вбудованого самотестування і самовідновлення мікросхем пам'яті | uk |
dc.type | Article | |
local.contributor.altauthor | Komarnitsky, A. V. | en |
local.contributor.altauthor | Комарницкий, А. В. | ru |
local.subject.section | Електронні пристрої та електротехнічні комплекси, комп'ютерно-інтегровані системи управління | uk |
local.source | Технології та дизайн | uk |
local.source.number | № 2 (3) | uk |
local.subject.method | 0 | |
Розташовується у зібраннях: | Електронний науковий журнал «Технології та дизайн» Наукові публікації (статті) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
td_2012_N2_14.pdf | 208,68 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.